日本電子JSM-7200F 熱場發射掃描電子顯微鏡
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- 產品簡介
- 產品性能參數
- 適用范圍
- 服務網點
＜特點＞
JSM-7200F的主要特點有：應用了浸沒式肖特基電子槍技術的電子光學系統；利用GB（Gentle Beam 模式）和各種檢測器在低加速電壓下能進行高分辨觀察和選擇信號的TTLS系統（Through-The-Lens System）；電磁場疊加的混合式物鏡。
浸沒式肖特基電子槍
浸沒式肖特基場發射電子槍為日本電子的專利技術，通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優化，能有效利用從電子槍中發射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系統）
TTLS（through-the-lens系統）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓，可以調節二次電子的檢測量。這樣在低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來，因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡（電磁場疊加）
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡，比傳統的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
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型號 |
JSM-7200F |
JSM-7200FLV |
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分辨率 |
1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) |
1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
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放大倍率 |
×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); |
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加速電壓 |
0.01kV～30kV |
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束流 |
1pA～300nA |
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自動光闌角控制透鏡ACL |
內置 |
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大景深模式 |
內置 |
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檢測器 |
高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) |
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樣品臺 |
5軸馬達驅動樣品臺 |
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樣品移動范圍 |
X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm傾斜－5～＋70° 旋轉360° |
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低真空范圍 |
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10pa～300pa |
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應用實例
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◇ 利用混合式物鏡、GB（Gentle Beam 模式）進行觀察的實例
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利用低像差的混合式物鏡和GB 模式，即使對不導電樣品也能在低的加速電壓下進行高分辨率成像。
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樣品: 介孔二氧化硅
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◇ 使用高位檢測器（ＵＥＤ）、能量過濾器進行觀察的實例
- 下圖是利用UED在低加速電壓條件下獲得的背散射電子像。由于是大角度散射電子成像，成份信息非常豐富，但加速電壓為0.8kV比在5kV時的測試，能獲得更細微的淺表面信息。象這樣在低加速電壓下要獲取樣品淺表面的背散射電子成份像，不僅需要高位檢測器，還需要用來去除二次電子的能量過濾器。
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樣品：鍍金表面, 能量過濾器： -250 V
